生產型ALD
Company Profile

PEALD-B多片等離子增強原子層沉積系統

 

 

一、設備概述:
      PEALD-B等離子體增強原子層沉積系統是專門為特殊應用領域的科學研究與工業開發用戶而設計的多片沉積系統,系統電氣完全符合CE標準;該系統擴展了普通原子層沉積系統對前驅體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度,廣泛應用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

二、產品優勢:
     先進的軟件控制系統:系統集工藝配方、參數設置、權限設定、互鎖報警、狀態監控等功能于一體;

三、技術指標:
    基片尺寸 8英寸及以下
    基片加熱溫度 室溫~500℃,控制精度±0.1℃
    前驅體輸運系統 標準3路前驅體管路,可選配
    前驅體管路溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
    源瓶加熱溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
    ALD閥 Swagelok快速高溫ALD專用閥
    本底真空 <5*10-5Torr,進口防腐泵
    載氣系統 N2或者Ar
    處理能力 500片8英寸
    生長模式 高速沉積模式和停留生長模式
    等離子體源 300W 感應耦合遠程等離子體
    等離子體放電氣源 標準3路,可選配
    控制系統 PLC+觸摸屏或者顯示器
    電源 50-60Hz, 220V/20A交流電源
    沉積非均勻性 非均勻性<±1%
    設備尺寸 1300mm x 800mm x 1000mm

四、可沉積薄膜種類:
    單 質:Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
    氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
    氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2
    其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6

五、ALD應用實例:
    高K柵氧化層,存儲容性電介質,銅互連中高深寬比擴散阻擋層,OLED無針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結構鍍膜,特種光纖摻雜,太陽能電池,平板顯示器,光學薄膜,其它各類特殊結構納米薄膜

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