加熱型(T-ALD)原子層沉積系統
Company Profile

TALD熱型原子層沉積系統

 

 

一、設備概述:
       TALD原子層沉積系統是專門為科研和工業小型化量產用戶而設計的單片/多片沉積系統。該系統電氣完全符合CE標準,廣泛應用于微電子、納米材料、光學薄膜、太陽能電池等領域。

    

二、技術指標:

 1、腔體結構及加熱控制

1.1 沉積腔室符合半導體工業標準設計,低顆粒度增加值;

1.2 真空漏率小于5*10-7Pa?L/S,;

1.3 樣品臺尺寸4/6/8英寸,可兼容小尺寸樣品,樣品溫度最高加熱至400℃;


2、前驅體源管路結構及加熱控制

2.1 加熱前驅體源或常溫前驅體源系統1-6路,加熱源裝置及輸運管路的最大加熱溫度200℃;

2.2 配備Swagelok快速ALD專用閥門(響應時間<10ms)、手動閥和Swagelok 316L EP級不銹鋼管路,配置50ml直通源瓶;

2.3 可選配標準OG臭氧系統、鼓泡前驅體源系統等。


3、真空系統及加熱控制

3.1 配置高性能真空泵,系統本底真空能達到5*10-3Torr,系統漏率5*10-7Pa?L/s,真空泵抽速>16m3/h;

3.2 配置有用于反應腔壓力監控的壓力傳感器(原裝進口);

3.3 配置有熱阱、真空管路加熱系統;


4、控制及軟件

4.1 圖形化操作界面;

4.2 恰當完備的用戶角色管理機制;

4.3 安全互鎖功能或聯動保護裝置。

4.4 沉積模式:連續模式和停流模式等。


5、其他配置

5.1 提供一套標準使用、維護附件。

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